Depuis 1974, lorsque Waler Fuhs a proposé pour la première fois la structure HJT en combinant le silicium amorphe et le silicium cristallin, le développement des cellules HJT en était encore à ses débuts. En 1989, le groupe Sanyo a développé avec succès des cellules solaires basées sur cette technologie et a déposé un brevet : les panneaux solaires HJT atteignaient alors un rendement de 15 %. En 1997, Sanyo a enregistré la marque HJT et a lancé la production commerciale de modules photovoltaïques, marquant le début de la diffusion de la technologie. Après 2010, avec l’expiration du brevet de Panasonic, divers fabricants ont commencé à développer activement la technologie HJT. Les modules sont ainsi entrés en production industrielle, avec une amélioration continue des rendements. En 2017, la HJT est entrée dans une phase de commercialisation, et de plus en plus d’entreprises ont lancé des productions à petite échelle. Avec l’augmentation des capacités au-delà de 100 MW, la technologie HJT est considérée comme particulièrement prometteuse pour l’avenir du photovoltaïque.

Dans les modules HJT, une couche de silicium amorphe est déposée sur un wafer en silicium de type N, formant une hétérojonction qui sert de couche de passivation. Cette structure permet une tension à vide plus élevée et, par conséquent, un rendement supérieur. Une couche externe conductrice transparente TCO (Transparent Conductive Oxide) est également présente. Le procédé repose sur des techniques à basse température : la pâte d’argent est traitée à environ 200 °C, ce qui permet d’utiliser des wafers N-type plus fins et offre un important potentiel de réduction des coûts dans la technologie photovoltaïque.

Les cellules HJT offrent de meilleures performances de production d’énergie et un fort potentiel d’amélioration du rendement. La trajectoire de réduction des coûts est claire et le processus de fabrication est plus simple : la production comprend quatre étapes clés — texturisation, dépôt de silicium amorphe, dépôt TCO et sérigraphie — soit bien moins que les technologies PERC (10 étapes) et TOPCon (12–13 étapes). Les cellules HJT présentent une structure symétrique recto-verso, idéale pour la production bifaciale des modules photovoltaïques. Elles combinent les avantages des cellules en silicium cristallin et des cellules à couches minces, représentant une technologie potentiellement disruptive. L’intégration de la pérovskite avec la HJT peut en outre augmenter de manière significative le rendement de conversion des panneaux solaires HJT.

Grâce à son faible coefficient de température et à son excellente réponse en faible luminosité, la HJT est particulièrement adaptée aux zones avec des étés très chauds, de nombreuses journées nuageuses ou une forte incidence de lumière oblique, typique des régions à haute latitude. De plus, grâce à un taux de bifacialité élevé, cette technologie est idéale dans les environnements offrant une bonne réflexion arrière — tels que les toitures claires, les carports solaires ou les centrales au sol — maximisant ainsi le gain bifacial des modules photovoltaïques.

À court terme, le prix au watt des modules HJT peut être légèrement supérieur à celui des modules PERC ou de certains TOPCon. Cependant, sur l’ensemble du cycle de vie, il faut prendre en compte le rendement plus élevé, la dégradation plus faible, les meilleures performances à haute température et en faible luminosité, ainsi que le gain bifacial potentiel. Sur des toitures à espace limité ou dans des marchés où le coût de l’électricité est élevé, la production supplémentaire des panneaux solaires HJT peut compenser rapidement la différence initiale, réduire le temps de retour et améliorer l’IRR global du projet photovoltaïque.